近日，在广西精密导航技术与应用重点实验室支持下，我校信息与通信学院微电子器件与集成技术团队王阳培华博士，联合澳大利亚昆士兰科技大学(Queensland University of Technology)陈志刚教授等，在国际顶级期刊Journal of Materials Science & Technology（影响因子：11.2，中科院一区Top）发表题为“Advances in Schottky parameter extraction and application”的论文。王阳培华、黄潇林、史晓磊为论文共同第一作者，孙堂友、彭英、陈志刚教授为论文共同通讯作者，其中我校为论文第一完成单位，黄潇林为硕士研究生。此外，微电子器件与集成技术团队前期基于热电子发射模型，提出了一种新的普适性筛选特征区间提取肖特基参数的方法，并通过相关对比检验，证实了该方法的可靠性(1. A Universal Extraction Method for Physical Parameters Applied for J-V Curves of Solar Cells; 2. Extraction and Analysis of the Characteristic Parameters in Back-to-Back Connected Asymmetric Schottky Diode)。以上系列论文的发表极大地提高了我校在电子信息学科-肖特基光电器件开发及其应用领域的国际影响力。
图1. 常见肖特基参数提取方法及应用领域
图2. 肖特基参数提取与应用
肖特基接触被发现以来，就引起了电子设备行业和研究人员的广泛关注，肖特基接触被广泛应用于场效应晶体管、光电探测器、太阳能电池、电阻开关存储器等，如图1所示。但是，肖特基触点是如何影响器件性能的呢?答案就在肖特基参数中。基于此，论文重点从电流-电压曲线中提取肖特基参数，即肖特基势垒高度、理想因数和串联电阻，以理解和分析肖特基器件的特性。首先介绍了该领域的研究进展和肖特基接触的原理。其次，论文对一些经典和广泛使用的提取方法以及最新的提取方法进行了深入研究，并根据其应用进行了评价，如图2所示。同时，列举了提取的各种方法以证明肖特基参数分析的必要性和重要性。最后，结合近年来的研究进展，对今后的研究进行了展望，并进行了全面的总结。该研究旨在解析精准的肖特基参数提取的重要价值，为开发基于肖特基接触的高性能光电器件提供重要思路与借鉴。
文章在线发表详见链接：https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1005030224008727#coi0001