关于“一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法系列共6项专利” 成果转化（专利实施许可）项目的公示

成转〔2024〕12号

根据《星空网页版登录入口科技成果转化管理办法（试行）》（桂电科〔2020〕10号）文件规定，对“一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法系列共6项专利” 成果转化（专利实施许可）相关事项公示如下：

一、成果基本信息

1、成果名称：一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法

2、成果类型：发明专利，ZL201510057805.4

3、成果归属单位：星空网页版登录入口

4、成果完成人：李海鸥、吉宪、李琦、李跃、黄伟、马磊、首照宇、吴笑峰、李思敏

5、成果简介

本发明公开一种复合沟道MHEMT微波振荡器及其制备方法,器件采用复合沟道结构,离子注入与湿法腐蚀相结合的台面隔离,Ni/AuGe/Ni/Au的源漏金属化系统形成欧姆接触,利用两次自对准电子曝光束,一次显影的三层胶工艺制造T型栅,两种不同的腐蚀液腐蚀形成栅凹槽,蒸Pt/Ti/Pt/Au金属化系统于栅凹槽形成肖特基接触,退火处理形成埋Pt技术,生长氮化硅钝化层,完成器件的制备。该发明工艺简单,器件可靠性强,便于重复。利用本发明制备出80nm栅长的器件获得了优异的直流性能和交流性能,最大输出饱和电流达到920mA/mm,非本征跨导达到1100mS/mm。器件的特征频率达到246GHz,最大振荡频率为301GHz。

6、法律状态：2017年5月10日授权，有效。

1、成果名称：一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法

2、成果类型：发明专利，ZL201510058652.5

3、成果归属单位：星空网页版登录入口

4、成果完成人：李海鸥、吉宪、李琦、李跃、黄伟、马磊、首照宇、吴笑峰、李思敏

5、成果简介

本发明公开一种GaAs衬底MHEMT栅凹槽腐蚀监控方法,其采用电子束光刻胶做掩膜,对样品进行不同栅长阵列曝光,显影出需要腐蚀的栅凹槽条,将样品分裂成6个小样品分别对其不同时间的栅凹槽腐蚀实验,利用原子力显微镜测试腐蚀栅凹槽的深度,利用扫描电子显微镜观察栅凹槽表面腐蚀形貌的平整度,达到快速找出对应不同栅长下的最佳腐蚀时间,实现简单的栅凹槽腐蚀监控。本发明具监控精确、直观形象、对器件影响小和适用范围广的特点,改善了以往一直以来利用电流曲线监控栅凹槽腐蚀的不足。

6、法律状态：2017年6月27日授权，有效。

1、成果名称：一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法

2、成果类型：发明专利，ZL201711035073.4

3、成果归属单位：星空网页版登录入口

4、成果完成人：李海鸥、刘培、刘洪刚、李琦、陈永和、张法碧、高喜、谢仕锋、首照宇、傅涛、翟江辉

5、成果简介

本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法,主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id<Sub>0</Sub>,在栅极增加应力,测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id<Sub>0</Sub>相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案,较好的解决了该问题,能够用于偏压温度不稳定性的测试。。

6、法律状态：2020年06月09日授权，有效。

1、成果名称：一种S波段宽带MMIC低噪声放大器

2、成果类型：发明专利，ZL 201810384680.X

3、成果归属单位：星空网页版登录入口

4、成果完成人：李海鸥、李陈成、徐华蕊、李跃、陈永和、李琦;张法碧、傅涛、孙堂友、肖功利

5、成果简介

本发明提出S波段宽带MMIC低噪声放大器,包括两级放大器：第一级场效应晶体管放大器、第一级栅极偏置网络、第一级漏极偏置网络、与第一级场效应晶体管放大器串联的第一传输线网、第二级场效应晶体管放大器、第二级栅极偏置网络和第二级漏极偏置网络；三级匹配网络：输入级匹配网络、级间匹配网络以及输出级匹配网络。本发明在第二级场效应晶体管源漏级并联负反馈网络,反馈网络的反馈电阻调节了放大器的增益,反馈网络的电容同时调节了信号的幅度和相位,还起到了直流隔离的作用。使得在较宽的频带内保持良好的增益平坦度,显著提高了低噪声放大器的线性度,降低了噪声系数。

6、法律状态：2023年09月26日授权，有效。

1、成果名称：一种III-V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法

2、成果类型：发明专利，ZL 201710026316.1

3、成果归属单位：星空网页版登录入口

4、成果完成人：李海鸥、马磊、李思敏、首照宇、李琦、王盛凯、陈永和、张法碧、肖功利、傅涛、李跃、常虎东、孙兵、刘洪刚

5、成果简介

本发明公开一种III-V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法,其组分渐变缓冲层降低III-V半导体之间晶格失配,减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度,并且通过对外延材料采用高In组分In-(0.7)Ga-(0.3)As/In-(0.6)Ga-(0.4)As/In-(0.5)Ga-(0.5)As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2-DEG的浓度与电子迁移率,降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。

6、法律状态： 2022年12月13日授权，有效。

1、成果名称：一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法

2、成果类型：发明专利， ZL201510414886.9

3、成果归属单位：星空网页版登录入口

4、成果完成人：李海鸥; 曹明民; 林子曾; 周佳辉; 李琦; 韦春荣; 常虎东; 张旭芳; 肖功利; 高喜

5、成果简介

本发明公开了一种用于GaAs MMIC减薄工艺的粘片方法，包括在衬底正面匀涂电子束光刻胶的步骤、用液态蜡将衬底正面粘贴在石英托上的步骤，其中：所述的液态蜡是由一定量的Crystalbond 509强力粘合剂以及能够溶解所述Crystalbond 509强力粘合剂用量的丙酮组成。本发明采用特殊配方组成的液态蜡代替传统的高温蜡，在使用过程中不需要增加其它阻隔层即可避免因光刻胶和高温蜡的互溶而产生的较难去除的有机物；其次，由于液态蜡和光刻胶均易溶于丙酮，解决了传统工艺中用高温蜡粘片时去胶慢去胶难的问题；再者，还能使衬底和石英托之间具有优良的粘附性，有效地解决了后续抛光和减薄过程中的碎片问题。

6、法律状态：2018年6月5日授权，有效。

二、受让单位名称：

北京中科汉天下电子技术有限公司

三、转化方式及价格

1、方式：专利权实施许可

2、拟交易价格：人民币59.86万元整

3、价格形成过程：由成果完成团队通过“中部知光技术转移有限公司”评估定价方式确定价格，全体完成人同意并签字。

4、扣除专利成本：0元。（授权后的专利年费和滞纳金）

四、成果完成人与受让单位关系

以上成果完成人与受让单位不存在利害关系。

采用分期支付方式。

特此公示，公示期为15日，自2024年4月30日起至2024年5月14日。如有异议，请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人：钱老师  联系电话：2208258。

科研院技术转移管理办公室    

                                                                               2024年4月30日